STマイクロエレクトロニクス Solar Power International 2012にて太陽光発電システム用SiCソリューションを発表

～ 太陽光発電の電力効率向上に向けた
先進的パワー・デバイス・ポートフォリオ ～

エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する
世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、
Solar Power International 2012（SPI 2012）において、SiC（シリコン・
カーバイド）デバイスに関する進捗を発表しました。これにより、システム・
メーカーは、太陽光エネルギーを電力網品質の電力へと変換できる超高効率な
電子機器を開発できるようになります。

SPIに出展されたSTのSiCダイオード（1200V耐圧）は、太陽電池モジュールの
DC-DC昇圧コンバータおよびDC-ACインバータで用いられている現行のシリコン・
ダイオードに代わり、低電圧出力を高品質AC電源に変換することができる製品
です。

太陽光発電システムの電力変換アプリケーションをターゲットとしているSiCは、
一般的なシリコン・バイポーラ・ダイオードよりも、速度・効率・性能面におい
て優れています。SiCダイオードは、導通および非導通状態のスイッチングの
高速化が可能で、スイッチング時に生じる逆回復電流の影響を低減し、一般的な
シリコン・バイポーラ・ダイオードの電力損失を最大70%低減することができ
ます。また、幅広い温度範囲にわたって高効率の維持し、システム動作周波数の
高速化・最適化が可能です。

STが行ったSiCダイオード（1200V耐圧）を用いた試験では、高負荷・高周波数
動作時でも、インバータの効率が全体で2%向上することが確認されました。この
効率改善は、住宅用太陽光発電システムや太陽光発電所等の設備でインバータを
耐用年数まで使用した場合、何メガワット時もの貴重な電力の節約につながります。

STは、SPI 2012にて、SiC MOSFETプログラムの進捗についても発表しました。
SiC MOSFETは、太陽電池用インバータにおける高電圧シリコンIGBT（絶縁ゲート・
バイポーラ・トランジスタ）の代替製品として期待されている先進的なデバイス
で、多くのメリットを提供します。SiC MOSFETは、IGBTの電力損失を少なくとも
50%低減することに加え、特別な駆動回路を必要とせず、より高い周波数での
動作が可能です。これにより設計者は、他の電源部品を最小化することができる
ため、コスト削減や小型化、および電力効率の向上を図ることができます。

SiC MOSFETおよびSiCダイオードのアプリケーションには、電力使用量が大きい
サーバ・システムやデータ・センター、および電気自動車のモータ駆動部で使用
される大型電源が含まれます。

ソーラー・エネルギーに関する主要展示会・コンファレンスであるSPI 2012は、
2012年9月10日～13日にフロリダ州オーランドのオレンジ・カウンティ・コンベ
ンション・センターで開催されました。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、Sense & Powerおよびマルチメディア・コンバージェンス分野の多種多様
なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。
エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアから
スマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や
遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍して
います。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」
の実現に取り組んでいます。2011年の売上は97.3億ドルでした。さらに詳しい情
報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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