STマイクロエレクトロニクス 新しい低消費電力パッケージを採用し、高効率パワーMOSFETファミリを拡充 最新のMDmesh(TM) Vスーパー・ジャンクション型MOSFETの革新的な4リード・パッケージが、スイッチング効率を向上させる専用の制御入力を追加

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE: STM、以下ST）は、生活家電、テレビ、PC、通信、サーバー用スイッチング電源等におけるパワー回路の効率を向上させる最新のパッケージ技術を採用した、スーパー・ジャンクション型のMDmesh(TM)V パワーMOSFETを発表しました。

従来のパッケージは、スイッチング制御・パワーラインを共用していましたが、新製品の4リード・パッケージ（TO247-4）は、スイッチング制御専用のソース接続を提供します。このリードの追加によりスイッチング効率が向上し、電力損失を抑える他、より小型の電源装置を高周波数で運用することが可能になります。

このパッケージは、STとInfineon社が共同開発したことから、Infineon社もスーパー・ジャンクション型の新製品を発表しており、セカンドソースの柔軟性をユーザーに提供しています。STマイクロエレクトロニクスのパワー・トランジスタ事業部マーケティング・ディレクターであるMaurizio Giudiceは、次の様にコメントしています。「コスト効率に優れたTO247-4は、標準TO-247の置き換えにおける基板レイアウト変更が最小限で済むため、電力システムへの実装が簡略化されます。また、同パッケージを採用している新製品のMDmesh V パワーMOSFETにより、アクティブ・モード時の電力効率が改善されたことで、最終機器の環境性能が向上します。」

TO247-4パッケージは、ソースへのケルビン接続を可能にする画期的な内部設計を特徴としています。この接続は、主電源接続の共通のソース･インダクタンスをバイパスするため、スイッチング損失は最大60%削減され、設計者はより小型のフィルタ・コンポーネントを使用できる高スイッチング周波数を利用できます。
この新パッケージを、シリコン当りの導通時の効率が最高レベルのSTのMDmeshスーパー・ジャンクション技術と組み合わせることで、最大限かつ総合的な省電力化を実現します。

今回発表したSTW57N65M5-4は、TO247-4を初めて採用したMDmesh製品で、多種多様なコンスーマ・産業用機器のアクティブな力率改善（PFC）回路およびフル・ブリッジまたはハーフ・ブリッジのパワー・コンバータの電力効率を向上させます。

TO247-4を採用したSTW57N65M5-4のその他特徴
・高ノイズ耐性、電磁妨害（EMI）の感度低減
・定格電圧向上による安全動作領域の拡大
・高dv/dt性能による信頼性向上
・100%アバランシェ試験済み、耐性設計対応

STW57N65M5-4は現在量産中で、単価は1000個購入時に約10ドルです。

詳細については、http://www.st.com/to247-4-pr をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2012年の売上は84.9億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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