STマイクロエレクトロニクス より環境に優しい産業と社会インフラを実現する最新の省電力技術を採用したパワーMOSFETを発表 最先端の内部構造を持つ新しいパワーMOSFETシリーズが、低消費電力化および小型化を可能にする業界最高クラスのオン抵抗を実現

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE: STM、以下ST）は、より環境にやさしい、通信システム、コンピューティング・システム、太陽光発電システム用インバータ、産業オートメーション、車載アプリケーション等の機器を実現するエネルギー効率に優れた最新世代のパワーMOSFETを発表しました。

現在入手可能な80V・100V耐圧製品において、STのSTripFET(TM) VIIDeepGATE(TM)技術を採用したパワーMOSFETは、最高クラスの導電率を実現すると同時に、スイッチング効率が向上しています。また、この製品は、機器の設計簡略化、小型化、低コスト化にも役立ち、小型パッケージと使用部品点数の削減がシステムの電力・効率目標の達成を可能にします。

STのSTripFET VII DeepGATE技術における重要な進捗は、改良されたMOSFETゲート構造です。これにより、オン抵抗値が低下するだけでなく、内部静電容量とゲート電荷が低減され、より高速で効率的なスイッチングが可能になっています。また、優れたアバランシェ耐性を持ち、損傷の可能性がある厳しい環境にも耐えられるため、車載アプリケーションにも最適です。

現在、STripFET VII DeepGATE 技術を採用した15品種以上の製品が、サンプル出荷および量産中です。80V耐圧のSTP270N8F7、および100V耐圧の数品種が、各種パッケージ（TO-220、DPAK、PowerFLAT(TM) 5×6、H2PAK（2リードまたは6リード））で提供されます。100V耐圧製品の1000個購入時の単価は、STD100N10F7およびSTL100N10F7が約1.7ドル、STH310N10F7-2が約3.8ドルです。大量購入時の価格については、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください。

STのパワーMOSFETと定格電圧
STのパワーMOSFET技術の広範なポートフォリオを構成するSTripFET VIIDeepGATEは、様々なアプリケーションで利用されている主要定格電圧において、業界をリードする効率、電力密度、堅牢性を提供します。STripFET VIIDeepGATEは、通信アプリケーションで幅広く使用されているDC電圧（48V等）で動作するシステムに最適で、定格電圧が80Vまたは100V耐圧のデバイスは、48Vシステムの一般的な過電圧サージに耐えられる十分な安全マージンを有しています。また、STripFET VII DeepGATEは、極めて堅牢な性能が要求される車載アプリケーション（12V・24V）でも利用されています。

より高い定格電圧において、最適効率を実現するには、スーパージャンクション型のMDmesh(TM)技術等、その他の技術が必要になります。MDmesh技術を採用した600V・650V耐圧の製品は、AC/DC電源、照明安定器、ディスプレイ・パネル等のアプリケーションに最適な安全マージンを提供します。また、低ゲート電荷を特徴とする新しい高効率のMDmeshシリーズ（MDmesh II Low Qg）は、液晶テレビ用電源等の共振コンバータで使用することができます。

詳細については、http://www.st.com/pmos をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2012年の売上は84.9億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト
（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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